多晶硅
發布時間:7/9/2010 5:23:19 PM 瀏覽:12767

      宜昌南玻采用改良西門子法,增加還原尾氣干法回收系統、四氯化硅氫化工藝,實現了全閉路循環。該方法降低了單位產品的能耗,采用四氯化硅氫化和尾氣干法回收工藝,降低了原輔材料的消耗,保護了資源。

      多晶硅的需求主要來自于半導體和太陽能電池,用于生產集成電路、分立器件和太陽能電池片。隨著光伏產業的迅猛發展,太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高于半導體多晶硅的發展。太陽能作為可再生能源中重要的一種既豐富又無污染的新能源,是各國重點支持和發展領域。

硅多晶電學參數
項目 硅多晶純度等級
1級品 2級品 3級品
基磷電阻率/(Ω·cm) ≥500 ≥300 ≥200
基硼電阻率/(Ω·cm) ≥3 000 ≥2 000 ≥1 000
碳濃度/(at/cm3) <1.5*1016 <2*1016 <2*1016
n型少數載流子壽命/µs ≥500 ≥300 ≥100
注:表中基磷電阻率、基硼電阻率可根據GB/T13389《摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程》換算為基磷、基硼含量。以上各數據檢測方法也可參照ASTM F1723進行。

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